A New York-i Cornell Egyetem kutatói létrehozták a világ legvékonyabb tranzisztorát, ami mindössze három atom vastagságú. A vékony, de nagy áramot stabilan vezetni képes anyag neve TMD (transition-metal dichalcogenide, azaz átmeneti-fém kalkogén), amelyet egy speciális kemencében, dietil-szulfidból és hexakarbonilból állítottak elő hidrogén gáz jelenlétében, 550 Celsius fokon, 26 óra alatt. Az MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) nevű eljárással készített 200, különlegesen vékony tranzisztorból mindössze 2 nem működött, ami már önmagában is kiváló eredménynek számít. A tudósok még vizsgálják az új tranzisztorok tulajdonságait, viszont az eljárásuk több laborban is megismételhető.
Az új anyaggal eddig nem látott áramkörök készíthetők, de a félvezetők egymásra halmozásával a jelenlegi processzorok méretében hihetetlenül magas komplexitású, még gyorsabb processzorok készíthetők. Ez azt is jelenti, hogy Moore törvénye továbbra is érvényben maradhat. Egy probléma van csupán: a gyártástechnológiát finomítani kell, hiszen sem a 26 óra, sem a magas hőmérséklet nem alkalmas a sorozatgyártásra, mivel a segédanyagok így egyszerűen elégnek. Ha erre találnak megoldást, egy egészen új korszak jöhet az elektronikában.
